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将电缆充分放电后，再按上述步骤测试电缆其他两相导体对地的绝缘电阻值。如电缆终端套管表面泄漏很大，无法使其减少影响测量的准确性或无法判断电缆内部绝缘的好坏时，可将兆欧表“屏蔽”端子与电缆的铜屏蔽相连接，将表面的影响消除。测量电缆导体之间的绝缘电阻时，方法步骤不变，只是接线时兆欧表“线路(L)”端子、“接地”端子分别与电缆的两相导体（如先测量B两相）相连接，将兆欧表“屏蔽”端子与电缆的铜屏蔽相连接，测量完B两相电缆导体之间的绝缘电阻后，再测量C相（或C相）之间的绝缘电阻， 再测量C相（或C相）之间的绝缘电阻。


场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。