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基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。


减速器的齿隙极小。此种减速器为谐波减速器，其外圆为Z1齿，内圆为Z2齿轮，谐波齿轮的外圆为椭圆形的波形发生器，滑动运行，使外椭圆变形，形成（Z2-Z1）/Z1高减速比。此时，外椭圆为复式啮合，成为小齿隙的减速器。实际上，此减速器常用于要求位置控制精度高的步进电机上。此种减速器能解决低惯量问题或低速大转矩问题。但此减速器的效率比普通减速器要低，使用时要特别注意。下左图为谐波减速器的三相步进电机外形，右图为带谐波减速器，速比为1/50的三相RM型步进电机的速度-转矩特性。